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大工与佐治亚理工大学联合在宽带光探测器研究上取得进展

作者:微电子学院 来源:微电子学院 时间:2017-06-16 08:28

我校微电子学院李晓干副教授和佐治亚理工大学材料科学与技术学院博士生邹海洋等人一起,在中国科学院王中林院士的指导下,在硅和氧化锌纳米线两种半导体材料构成的光探测器上设计了特殊的金针菇云状的薄膜电极层,该结构能通过减少光的反射,极大地提高硅对近红外光的吸收。同时,通过施加外应力作用在氧化锌纳米线上,在界面产生极化作用,提高光探测性能,其性能在近紫外442纳米的波段光响应提高78%,在近红外区域1060纳米光响应也提高了20%左右,同时其测量极限和线性关系也得到了很大提高。

他们利用该器件首次研究和发现了极化作用对界面处光激发的电子和空穴的不同影响。这对完善相关理论和发展更优良的光电器件有着重要意义。该工作发表在专业著名学术期刊《先进材料》上(Adv. Mater. 2017, 1701412,IF:19.79)。李晓干副教授与邹海洋博士生等人以共同第一作者的身份联合署名该论文工作。

宽带光探测器,是一种能将较大大范围不同波长的光信号转变为电信号的电子器件,在通信系统、医疗、热成像、环境监测和国防科技都有广泛的应用。硅作为重要的半导体材料,在半导体行业占据着重要地位。但是,由于硅对900纳米以上的近红外光吸收不强,这极大限制了硅在宽带光探测器的应用。

相关链接:http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201701412/full

责任编辑:姚璐

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