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【科学网】自旋电子学领域获突破性进展

来源:科学网(2019-11-30) 时间:2019-12-02 09:41

原文链接:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2019/11/433342.shtm?bsh_bid=5456811583

11月29日,大连理工大学物理学院、三束材料改性教育部重点实验室王译教授与新加坡国立大学Hyunsoo Yang教授,在 《科学》上发表重要工作:利用自旋波翻转磁矩实现数据存储与逻辑运算。

遵循摩尔定律飞速发展的现代电子器件尺寸越来越小,芯片因电荷高速运动和频繁碰撞引发严重发热,不但造成高能耗,同时限制处理速度与集成密度的提高,成为阻碍当前器件发展的一个严重问题。在日常生活中,我们都能切身体会到电子产品耗电、发热而带来的严重不便。

聚焦上述关键科学技术问题,王译与Hyunsoo Yang创新性提出利用自旋波(准粒子:磁振子)来驱动磁矩翻转,实现芯片“0”和“1”的信息存储和逻辑运算,这完全不同于以往通过有热耗散的电子自旋注入的传统技术。自旋波不局限于电子导体,可以以“波”的方式在多种介质中无热耗散、低阻尼、长距离传播自旋信息,重要的是该过程不需要导电电荷参与,因此这种新机制可以从根本上突破传统芯片发热、耗电等瓶颈。

研究人员设计了异质薄膜结构,以反铁磁绝缘体NiO作为磁振子高效传输通道,拓扑绝缘体Bi2Se3作为高强度磁振子产生源,开创性利用磁振子转矩效应实现商业广泛应用的NiFe和CoFeB铁磁薄膜自旋磁矩180°翻转。器件在室温下运行,磁振子转矩效应显著,通过进一步调控器件,磁振子转矩强度有望进一步增强。

本项实验工作证实了自旋波可有效翻转自旋磁矩,开辟了实现低功耗、高速度信息存储和逻辑运算芯片的新途径,为发展磁振子学新研究方向,激发磁振子器件广泛探索,促进后摩尔时代器件革新具有深远意义。

相关论文信息:https://science.sciencemag.org/content/366/6469/1125

责任编辑:于舒雯

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